Samsung Electronics, leader mondiale nelle tecnologie avanzate di memoria, lancia la nuova serie di Solid State Drive 850 EVO. La tecnologia di memoria Samsung 3-bit 3D Vertical NAND (V-NAND), differenzia la serie di SSD 850 EVO dalla precedente 840 EVO e la rende la serie perfetta per tutti i tipi di computer. “Performance e resistenza ad alto calibro” lo slogan delle nuove SSD, in arrivo questo mese in 53 paesi tra Stati Uniti, Europa e mercati asiatici.
“Con l’arrivo dei nuovi SSD 850 EVO Samsung segna un ulteriore traguardo nell’evoluzione della tecnologia dei Solid State Drive, offrendo un’esperienza d’uso unica e di qualità, attraverso performance eccellenti su diversi tipi di device. Il nostro obiettivo è continuare a innovare nel settore SSD grazie alla tecnologia di memoria V-NAND, disponibile in diversi formati, e guidare l’evoluzione di questo segmento di mercato con le migliori tecnologie possibili, per favorire un ambiente di computing innovativo e senza rivali” ha dichiarato Un Soo Kim, Senior Vice President of Brand Product Marketing team di Samsung Electronics. ”Punteremo molto sulla nuova serie 850 EVO in grado di far crescere il mercato ad alta densità degli SSD, incontrando le continue richieste di mercato per i Solid State Drive con capacità di memoria superiore a 500GB.”
Rispetto alla serie 850 PRO SS, lanciata nel luglio scorso e basata sulla tecnologia di mermoria 2-bit 3D V-NAND per PC e workstation di alta gamma, i nuovi SSD 850 EVO utilizzano tecnologia 3-bit 3D V-NAND, che ne facilita l’utilizzo su ogni dispositivo, compresi notebook e PC da gioco. Con l’arrivo degli 850 EVO, Samsung da il via a un nuovo livello di interazione per gli SSD grazie alla tecnologia proprietaria Samsung V-NAND.
La serie 850 EVO di Samsung sarà disponibile con capacità pari a 120GB, 250GB, 500GB e 1TB, e potrà garantire velocità di lettura sequenziale fino a 540 megabytes al secondo (MB/s) e velocità di scrittura fino a 520 MB/s. La versione 1TB della 850 EVO è dotata della tecnologia Samsung TurboWrite, in grado di garantire velocità di scrittura casuale fino a 90K IOPS, rendendo disponibile un maggiore spazio di archiviazione di memoria per grandi quantità di dati e operazioni multi-tasking. Inoltre per i modelli 500GB e 1TB, il drive fornisce un’affidabilità formidabile grazie a 80GB data di scrittura al giorno per cinque anni.
In arrivo il prossimo anno una nuova linea di SSD Samsung 850EVO mSATA e M.2, basate sulla tecnologia 3-bit V-NAND.